GaNrich erweitert GaN-Leistungshalbleiter-Portfolio auf 40 V bis 1200 V
Der taiwanische Hersteller GaNrich Semiconductor Corporation bietet nach eigenen Angaben nun Leistungsbauteile auf Basis von Galliumnitrid (GaN) im Bereich von 40 V bis 1200 V an, gefertigt auf den Wafer-Plattformen GaN-on-Si und GaN-on-Sapphire. Das Unternehmen richtet das Portfolio an KI-Rechenzentren, Robotik, Drohnen und Elektrofahrzeuge und präsentiert seine Lieferkette als Alternative zu chinesischen Lieferketten.
- GaNrich bietet GaN-Leistungsbauteile von 40 V bis 1200 V auf den Plattformen GaN-on-Si und GaN-on-Sapphire an.
- Zielanwendungen sind KI-Rechenzentren, BBUs, Robotik, Drohnen, Elektrofahrzeuge und Onboard-Ladegeräte.
- Das Unternehmen plant die Einführung eines bidirektionalen 1200-V-Schalters (BDS), einen Termin nennt es nicht.
- GaNrich positioniert seine Lieferkette in Taiwan als Alternative zu chinesischen Lieferketten.
- Mehrere Produkte wurden laut Unternehmen von führenden globalen Kunden aus Automobil-, Energiespeicher- und Industriebranche validiert.
Voller Spannungsbereich auf zwei Wafer-Plattformen
Laut GaNrich deckt das Portfolio Bauteile für Nieder- und Mittelspannung (40 V bis 250 V) sowie für Hochspannung (650 V bis 1200 V) ab. Als Zielanwendungen nennt das Unternehmen KI-Rechenzentren, Batterie-Backup-Einheiten (BBU), Robotik, Drohnen, Elektrofahrzeuge (EV) und Onboard-Ladegeräte (OBC).
GaNrich zufolge verbinden die Produkte schnelles Schalten, geringe Leitungsverluste und niedrige parasitäre Kapazitäten. Das gebe Entwicklern mehr Spielraum, sowohl Effizienz als auch Leistungsdichte zu optimieren. Das Unternehmen beschreibt sich zudem als integrierter Dienstleister, der Maskendesign, fortschrittliches Packaging, die Integration von Systemmodulen und Zuverlässigkeitstests anbietet.
GaNrich gibt an, einer der wenigen Anbieter weltweit mit vollständiger GaN-Produktabdeckung in diesem Spannungsbereich zu sein. Zudem sei es derzeit der einzige GaN-Lösungsentwickler in Taiwan, der Produkte für die Kundenvalidierung in einer Massenproduktionsumgebung liefern könne.
Drop-in-Gehäuse und geplanter bidirektionaler 1200-V-Schalter
Für die Bauteile von 40 V bis 250 V bietet GaNrich fortschrittliche Gehäuse an, die mit bestehenden Standard-Siliziumbauteilen kompatibel sind. Nach Unternehmensangaben ist die Entwicklung von Produkten in den Formaten 5×6, 5×3 und 3×3 abgeschlossen, ebenso die Optimierung der Lieferkette. Die Bauteile zielen auf Anwendungen, in denen herkömmliche Siliziumbauteile an ihre Leistungsgrenzen stoßen. Gate-Treiber sind im selben Gehäuse integriert, was laut Unternehmen das Schaltungsdesign für Kunden vereinfacht.
Die Bauteile von 650 V bis 1200 V richten sich an die Hochspannungs-Leistungswandlung, darunter Hochleistungsnetzteile für KI-Rechenzentren, AC-DC-Wandlung und Elektrofahrzeuge. GaNrich zufolge eignet sich das Sortiment für unterschiedliche Leistungstopologien, von AC-DC- oder DC-AC-Wandlung im Nieder- und Mittelspannungsbereich bis zu AC-DC- oder DC-DC-Wandlung bei Hochspannung. Um den Entwicklungsaufwand zu senken, lassen sich herkömmliche Siliziumbauteile Pin-zu-Pin ersetzen.
Das Unternehmen ergänzt, dass mit der Weiterentwicklung der Leistungstopologien bestimmte GaN-Bauteile in Anwendungssegmente vordringen können, die traditionell von Siliziumkarbid (SiC) bedient werden. GaNrich plant die Markteinführung eines bidirektionalen 1200-V-Schalters (BDS). Nach Angaben des Unternehmens kann er die Zahl der Systemkomponenten verringern, die Spannungsreserve im Design erhöhen und eine einstufige Leistungswandlungsarchitektur für Topologien der nächsten Generation unterstützen.
Lieferkette unabhängig von China
GaNrich erklärt, der globale GaN-Markt konzentriere sich derzeit stark auf chinesische Lieferketten, während europäische und amerikanische Kunden weiterhin neue eigene Produktionskapazitäten forderten. Das Unternehmen koordiniert nach eigenen Angaben Wafer-Fertigung und Packaging-Ressourcen in Taiwan und arbeitet mit Lieferkettenpartnern weltweit zusammen, um ein vollständiges Ökosystem für die Produktentwicklung aufzubauen. Ziel sei es, internationalen Kunden eine wettbewerbsfähige und diversifizierte Alternative zu bieten, die unabhängig von chinesischen Lieferketten ist.
Kundenvalidierung und Einordnung
GaNrich berichtet, dass mehrere seiner Produkte von führenden globalen Kunden validiert wurden, mit Anwendungen in der Automobil-, Energiespeicher- und Industriebranche. Das zeige laut Unternehmen die Wettbewerbsfähigkeit der GaN-Produkte bei Leistung, Zuverlässigkeit, Lieferfähigkeit und Fertigbarkeit. Die Mitteilung nennt weder die Kunden noch Leistungsdaten, die Aussagen stammen also allein vom Unternehmen.
Für Einkäufer in der Leistungselektronik deutet die Ankündigung auf eine weitere Bezugsquelle für GaN-Bauteile aus Taiwan hin, mit siliziumkompatiblen Gehäusen und Pin-zu-Pin-Ersatz, die den Umstieg erleichtern sollen. Für den geplanten bidirektionalen 1200-V-Schalter nennt die Mitteilung keinen Starttermin.
