GaNrich erweitert GaN-Leistungsbauelemente auf Spannungen von 40 V bis 1200 V
Die taiwanische GaNrich Semiconductor Corporation bietet nach eigenen Angaben nun Leistungsbauelemente aus Galliumnitrid (GaN) für Spannungen von 40 V bis 1200 V an, gefertigt auf den Wafer-Plattformen GaN-on-Si und GaN-on-Sapphire. Das Spektrum richtet sich laut Unternehmen an Anwendungen wie KI-Rechenzentren, Robotik, Drohnen und Elektrofahrzeuge.
- GaNrich bietet GaN-Leistungsbauelemente von 40 V bis 1200 V auf den Plattformen GaN-on-Si und GaN-on-Sapphire an.
- Zielanwendungen sind KI-Rechenzentren, BBUs, Robotik, Drohnen, EVs und OBCs.
- Die Bauelemente werden laut Unternehmen als pinkompatible Drop-in-Ersatzteile für herkömmliche Siliziumkomponenten angeboten.
- GaNrich plant die Markteinführung eines bidirektionalen 1200-V-Schalters (BDS).
- Das Unternehmen bewirbt eine „nicht rote“ Lieferkette und gibt an, ausgewählte Produkte seien von führenden globalen Kunden validiert worden.
Ein Portfolio von der unteren Mittelspannung bis zur Hochspannung
GaNrich beschreibt sich als taiwanisches Unternehmen, das sich der GaN-Technologie verschrieben hat. Nach eigenen Angaben beherrscht es sowohl die Wafer-Plattform GaN-on-Si als auch GaN-on-Sapphire. Das Portfolio umfasst Bauelemente der unteren Mittelspannung von 40 V bis 250 V sowie Hochspannungsbauelemente von 650 V bis 1200 V.
Zu den vom Unternehmen genannten Anwendungen zählen KI-Rechenzentren, Backup Battery Units (BBUs), Robotik, Drohnen, Elektrofahrzeuge (EVs) und On-Board-Charger (OBCs). GaNrich zufolge bieten die Produkte schnelles Schalten, geringe Leitverluste und niedrige parasitäre Kapazitäten. Das gebe Entwicklern mehr Spielraum, Effizienz und Leistungsdichte zu optimieren.
Über die Bauelemente hinaus versteht sich das Unternehmen als Komplettanbieter und bietet Maskendesign, fortschrittliches Packaging, Systemmodulintegration und Zuverlässigkeitstests an. GaNrich bezeichnet sich zudem als einen der wenigen Anbieter weltweit mit GaN-Abdeckung über den gesamten Spannungsbereich und derzeit als einzigen GaN-Designer, der in Taiwan GaN-Produkte in Serienfertigung für die Kundenvalidierung liefern kann.
Drop-in-Gehäuse und ein geplanter bidirektionaler 1200-V-Schalter
Für den Bereich von 40 V bis 250 V bietet GaNrich nach eigenen Angaben fortschrittliche Gehäuselösungen, die mit bestehenden Standard-Siliziumbauelementen kompatibel sind. Das Unternehmen sagt, es habe als Erstes die Produktentwicklung und Optimierung der Lieferkette für die Gehäuse 5×6, 5×3 und 3×3 abgeschlossen. Es zielt auf Anwendungen, in denen herkömmliche Siliziumbauelemente an ihre Leistungsgrenzen gestoßen sind. Die Integration von Gate-Treibern im selben Gehäuse soll das Schaltungsdesign vereinfachen und die Einführung beim Kunden beschleunigen.
Die Bauelemente von 650 V bis 1200 V adressieren die Hochvolt-Leistungsumwandlung, darunter leistungsstarke Netzteile für KI-Rechenzentren, AC-DC-Wandlung und Elektrofahrzeuge. Laut Unternehmen sind diese Bauelemente pinkompatible Drop-in-Ersatzteile für herkömmliche Siliziumkomponenten, um den Entwicklungsaufwand gering zu halten. Die Lösungen deckten Topologien von der DC-DC/DC-AC-Wandlung im unteren Mittelspannungsbereich bis zur AC-DC/DC-DC-Wandlung bei Hochspannung ab.
GaNrich weist zudem darauf hin, dass sich mit der Weiterentwicklung der Leistungstopologien bestimmte GaN-Bauelemente auch Segmente erschließen können, die bisher Siliziumkarbid (SiC) bedient. Das Unternehmen plant die Markteinführung eines bidirektionalen 1200-V-Schalters (BDS), der nach eigenen Angaben die Zahl der Systemkomponenten verringern und zugleich die Spannungsreserve im Design erhöhen kann. Damit werde eine einstufige Leistungswandlungsarchitektur für Topologien der nächsten Generation möglich.
Eine „nicht rote“ Lieferkette und Kundenvalidierung
Das Unternehmen argumentiert, der globale GaN-Markt sei derzeit stark auf Lieferketten in China konzentriert, während europäische und US-amerikanische Kunden weiterhin neue eigene Kapazitäten nachfragten. GaNrich koordiniert nach eigenen Angaben Ressourcen für die GaN-Wafer-Fertigung und das Packaging in Taiwan und arbeitet mit globalen Lieferkettenpartnern zusammen. Damit biete es eine wettbewerbsfähige und diversifizierte „nicht rote“ Lieferkettenoption.
GaNrich erklärt, ausgewählte Produkte seien von führenden globalen Kunden aus den Bereichen Automobil, Energiespeicherung und Industrie validiert worden. Das Unternehmen sieht darin einen Beleg für seine Wettbewerbsfähigkeit bei Leistung, Zuverlässigkeit, Kapazität und Fertigbarkeit. Die Angaben stammen aus der eigenen Mitteilung des Unternehmens, Kundennamen oder Leistungswerte wurden nicht genannt.
Was das für Abnehmer bedeutet
Für Entwickler von Leistungssystemen lautet das Angebot: ein einziger Lieferant für eine große Spannungsspanne, mit siliziumkompatiblen Gehäusen und integrierten Gate-Treibern, die den Umstieg auf GaN erleichtern sollen. Für Abnehmer in Europa und den USA positioniert das Unternehmen seine Fertigung in Taiwan als Alternative zu Lieferketten, die auf China konzentriert sind. Interessierte Kunden erreichen das Vertriebsteam von GaNrich unter [email protected].
